化学气相沉积www.tool-tool.com

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化學氣相沉積（英文：Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會會隨著氣流被帶著，而不會留在反應腔中。

微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料，包括單晶、多晶、非晶及磊晶材料。這些材料有矽、碳纖維、碳奈米纖維、奈米線、奈米碳管、SiO₂、矽鍺、鎢、矽碳、氮化矽、氮氧化矽及各種不同的high-k介質等材料。CVD製程也常用來生成合成鑽石。

一些CVD技術被廣泛地使用及在文獻中被提起。這些技術有不同的起始化學反應機制 (如活化機制) 及不同的製程條件。

• 以反應時的壓力分類
• 常壓化學氣相沉積 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)：在常壓環境下的CVD製程。
• 低壓化學氣相沉積 (Low-pressure CVD, LPCVD)：在低壓環境下的CVD製程。降低壓力可以減少不必要的氣相反應，以增加晶圓上薄膜的一致性。大部份現今的CVD製程都是使用LPCVD或UHVCVD。
• 超高真空化學氣相沉積 (Ultrahigh vacuum CVD, UHVCVD：在非常低壓環境下的CVD製程。大多低於10^-6 Pa (約為10^-8 torr)。註：在其他領域，高真空和超高真空大都是指同樣的真空度，約10^-7 Pa。
• 以氣相的特性分類
• 氣溶膠輔助氣相沉積 (Aerosol assisted CVD, AACVD)：使用液體/氣體的氣溶膠的前驅物成長在基底上，成長速非常快。此種技術適合使用非揮發的前驅物。
• 直接液體注入化學氣相沉積 (Direct liquid injection CVD, DLICVD)：使用液體 (液體或固體溶解在合適的溶液中) 形式的前驅物。液相溶液被注入到蒸發腔裡變成注入物。接著前驅物經由傳統的CVD技術沉積在基底上。此技術適合使用液體或固體的前驅物。此技術可達到很多 的成長速率。
• 電漿技術 (可參考電漿製程)
• 微波電漿輔助化學氣相沉積 (Microwave plasma-assisted CVD, MPCVD)
• 電漿輔助化學氣相沉積 (Plasma-Enhanced CVD, PECVD)：利用電漿增加前驅物的反應速率。PECVD技術允許在低溫的環境下成長，這是半導體製造中廣泛使用PECVD的最重要原因。
• 遠距電漿輔助化學氣相沉積 (Remote plasma-enhanced CVD, RPECVD)：和PECVD技術很相近的技術。但晶圓不直接放在電漿放電的區域，反而放在距離電漿遠一點的地方。晶圓遠離電漿區域可以讓製程溫度降到室溫。
• 原子層化學氣相氣相沉積 (Atomic layer CVD, ALCVD)：連續沉積不同材料的晶體薄膜層。參見原子層磊晶。
• 熱線化學氣相沉積 (Hot wire CVD, HWCVD)：也稱做觸媒化學氣相沉積 (Catalytic CVD, Cat-CVD) 或熱燈絲化學氣相沉積 (Hot filament CVD, HFCVD)。使用熱絲化學分解來源氣體。^[1]
• 有機金屬化學氣相沉積 (Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)：前驅物使用有機金屬的CVD技術。
• 混合物理化學氣相沉積 (Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD)：一種氣相沉積技術，包含化學分解前驅氣體及蒸發固體源兩種技術。
• 快速熱化學氣相沉積 (Rapid thermal CVD, RTCVD)：使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。只對基底加熱，而不是氣體或腔壁。可以減少不必要的氣相反應，以免產生不必要的粒子。
• 氣相磊晶 (Vapor phase epitaxy, VPE)

引用出處：

http://zh.wikipedia.org/zh/%E5%8C%96%E5%AD%A6%E6%B0%94%E7%9B%B8%E6%B2%89%E7%A7%AF

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