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奥村 望岩瀬厚司
Nozomu OKUMURA Atsushi IWASE
Vacuum Carburizing is vacuum process in which the carburizing gas is under a pressure of about
48kPa(360Torr) absolute. Usually Methane or Propane is used as the carburizing gas. This time, we
examined the effect of Acetylene gas for high carbon potential carburizing and the carburizing
homogeneity of a narrow hole inside. As the result, especially, higher carburizing homogeneity of a
narrow hole inside was given using Acetylene gas. This presumed to be what is depended on direct
reaction between iron and Acetylene due to absorption on to iron surface. Moreover, reduction of the
sooting which was the conventional subject was attained by the vacuum carburizing using Acetylene.
Key Words：Vacuum Carburizing, Acetylene gas, High carbon potential, Carburizing homogeneity
1 . はじめに
真空浸炭法は，従来から浸炭処理の量産法として広
く実施されているガス浸炭法と比較して，多くの優れ
た特徴を有している．生産面においては，真空断熱に
よる高温処理化によって，処理時間の短縮化が図れる
こと，品質面においては，粒界酸化が少ないこと，細
穴内面の浸炭性が良好なこと，さらに環境面において
は，二酸化炭素の発生がなく，断続運転が可能で省エ
ネルギーが図れること，等である．
しかしながら，真空浸炭法は，特殊な用途以外には
それ程普及していない．これには一般に広く展開され
ているガス浸炭法にとって替わるだけの優位性が十分
に発揮されていないこと，すなわちいまだ解決すべき
課題が存在することを示している．真空浸炭法におけ
る課題の一つに，煤の発生という問題がある．これは
浸炭ガスとして炉内に直接炭化水素系ガスを供給する
ため，熱分解によって発生した多量の煤のメインテナ
ンスが必要となり，操業面，コスト面でマイナス因子
となっている．
本報告は煤発生低減化を狙い，C 2 H2（アセチレン）
ガスを用いた真空浸炭法による高濃度浸炭，細穴内面
の浸炭性とC 2 H2ガスによる浸炭反応につき考察を加
える．
2 . 真空浸炭法の特徴
真空浸炭炉の開発は，米国で行われた1）．そのきっ
かけは処理時間の短縮化を狙い，処理温度の高温化の
試みが各社で実施され，ガス浸炭炉では炉構造，処理
法を含め限界があることが明らかとなり，真空熱処理
炉が浸炭に利用できないかと研究されたのが始まりで
ある．
米国における初期の真空浸炭法では，浸炭ガスとし
てCH（4 メタン）ガスを用い，処理温度1040℃，処理
圧力も数kPa～20kPa（数10～150Torr）の条件下で実
施されていた．その後，1974 年ころから日本での設
備製造，販売が開始され現在に至っている．
真空浸炭法の主な特徴をまとめると以下のようであ
る．
（1）高温短時間処理が可能
（2）変成炉が不要
（3）雰囲気管理が容易
（4）粒界酸化がほとんどない
（5）高濃度浸炭が容易
（6）細穴内面浸炭性が良好
（7）間欠運転が可能
2.1 処理条件
2.1.1 浸炭温度
浸炭温度は高温処理による処理時間の短縮を目的と
する場合，950℃～1040℃の範囲で一般的には行われ
るが，細穴内面浸炭とか浸炭窒化を実施する場合には，
950℃以下で行うこともある．高温浸炭を実施する場
合，浸炭温度の上昇につれて浸炭むらが発生しやすく
＊（社）日本熱処理技術会の了解を得て，協会誌 第38巻4
号（1998.8）より一部加筆して転載
論文
－88－
なるので浸炭条件の細部検討が必要となる．
2.1.2 処理時間
所用の浸炭深さを得るための処理時間は，浸炭時
間＋拡散時間で表される．高温で長時間処理する場合
には結晶粒の粗大化が生ずるため拡散終了後，Ａ1 変
態点以下までガス冷却して，再度加熱後焼入れする．
結晶粒の粗大化が生じない条件では，A 1 変態点以下
までの冷却は不必要で，拡散終了後焼入温度まで炉冷
して焼入れする．後者の場合は浸炭温度と焼入温度の
差が大きく，炉冷時間が無視できない場合，拡散処理
終了後も炉冷時，焼入れ保持の間，炭素の拡散を生ず
るので，拡散時間の補正が必要である．
2.1.3 浸炭深さ，表面炭素濃度
浸炭深さ，表面炭素濃度はHarrisの実験式2）を用い
て求めることが可能である．
Harrisの実験式
（1）
t ＝tc＋tD （2）
tc ＝t（ ）2 （3）
D ：浸炭深さ
K ：温度定数
t ：全浸炭時間
t Ｃ ：浸炭時間
t Ｄ ：拡散時間
C 1：拡散後の表面炭素濃度
C 2：浸炭後の表面炭素濃度
C 0：素地の炭素濃度
C1 C0
C2 C0
D＝K√t
操業中の管理としては，浸炭時間，拡散時間の設定
により，浸炭深さ，表面炭素濃度を調整していること
から上記（1）（2）（3）式を用いてチャートの作成例を次
に示す．
1）結晶の微細化処理を行わない場合（パターンⅠ）
T 1 ：浸炭温度
T 2 ：焼入れ温度
t（1 ＝t Ｃ＋t Ｄ）：全浸炭時間
t 2 ：焼入れ保持時間
t ｍ：T 1 からT 2 までの降温時間
K 1 ：T 1 における温度定数
K 2 ：T 2 における温度定数
K ｍ：T 1 からT 2 まで降温時の温度定数平均値
とすると各ステップでの浸炭深さは次のようになる．
温度T 1 における浸炭，拡散終了時の浸炭深さD 1 は，
（4）
さらに，温度T 1 から温度T 2 まで降温したときの浸炭
深さD 1 ＋ｍは，
（5）
さらに，焼入温度T 2 にて保持終了後の浸炭深さDtotal
は，
（6）
で示される．以上の関係より浸炭温度1040 ℃，焼入
条件850℃×15 分，1040℃から850℃までの降温時間
が30 分の場合の浸炭深さ，表面炭素濃度を求めたも
のがFig.1である．
2）結晶の微細化処理を行う場合（パターンⅡ）
この場合は炭素の拡散を補正する必要がないため，
D1
Km （�� ）��
Fig. 1 Relation between diffusion time and
carburizing time for PatternⅠ
Fig. 2 Relation between diffusion time and
carburizing time for PatternⅡ
デンソーテクニカルレビュー Vol.５ No.１ 2000
－89－
Harris の実験式から単純に求められる．Fig.2 は浸炭
温度1040℃の場合のチャート例である．
今回は，浸炭ガスとしてC 2 H2ガスを用いた場合の
高濃度浸炭と細穴内面浸炭技術について報告する．
2.2 高濃度浸炭
高濃度浸炭とは，材料表面近傍の炭素濃度を高め，
炭化物を析出させる処理である．高濃度浸炭により硬
さの向上が図れるため，耐摩耗性，耐焼付性の改善に
効果が期待される．高濃度浸炭の方法については，い
くつかの提案がなされている3）が，真空浸炭技術を用
いれば比較的容易に達成できる．
高濃度浸炭においては，炭化物の析出状態を制御す
ることが重要であり，粒界に網状析出すればかえって
強度低下の原因となる．また炭素濃度が高くなれば，
残留オーステナイトも発生しやすくなり，注意を要す
る．炭化物の大きさ・形状・分布に注意して，条件設
定することが必要である．
浸炭ガスとしてC 2 H2ガスを用い高濃度浸炭した組
織をFig.3 に示す．処理パターンをFig.4 に示すが，
Acm 濃度近くまで浸炭後，ガス冷却によりAr1 以下ま
で急冷し，再度加熱浸炭，冷却を繰り返した．加熱冷
却を繰り返すことにより，炭化物は粒界に網状に析出
することなく，微細化されほぼ均一に析出した状態と
なっている．表面硬さは，通常の浸炭に比較し，ビッ
カース硬度で100～200程度の増加が認められた．
高濃度浸炭については，前述した効果が期待される
が，炭素濃度，炭化物の析出状態と特性についてこの
定量的把握が十分になされていないと思われるため，
材料面・処理技術面を含め今後の検討が必要と思われ
る．
Fig. 3 Structure of high carbon potential carburizing
2.3 細穴内面浸炭
真空浸炭法における細穴内面の浸炭性については，
既に筆者は浸炭ガスとしてC 3 H（8 プロパン）+N（2 窒素）
混合ガスを用いその均一性を報告している4）．
C 3 H8＋N 2 ガスを用いた場合，炉内を一定圧力にて処
理するより，パルス的に炉内圧力を変動させる方式の
方が細穴内外の浸炭均一性が良好であった．N 2 ガス
の添加は，煤発生の低減化を狙ったものであり，パル
ス的な圧力変動は，ガスの撹拌効果を狙ったものであ
る．
Fig.5はC 2 H2ガスを浸炭ガスとして，前回4）と同様
のサンプル（φ5×55）を用い真空浸炭処理を実施した
結果を示す．処理条件は，浸炭温度900℃，焼入温度
850 ℃，処理圧力130Pa（1.0 Torr）の定圧処理である．
C 2 H2 ガスを用いた場合，パルス方式を用いることな
く，極低圧力で細穴内面の均一性が得られる結果を示
した．真空浸炭法における浸炭ガスとしては，従来
CH 4 ガスおよびC 3 H8 ガスが使用されているが，極低
圧下においては，炉内ガス撹拌が不十分となり浸炭む
らが発生しやすい．
Fig. 4 Treatment pattern of high carbon
potential carburizing
論文
3 . C2 H2ガスの浸炭メカニズムについて
真空浸炭におけるC2 H2 ガスの浸炭メカニズムを考
察するため，浸炭ガスとして飽和炭化水素である
C3 H8 ガス，不飽和炭化水素で二重結合を有するC2 H4
（エチレン）ガス，三重結合を有するC2 H2 ガスの3 種
類を選び，浸炭時，未浸炭時のガス分解挙動を計測し
た．
3.1 実験方法
Fig.6は四重極質量分析計の概略図であり，ガス分
析の計測条件を以下に示す．
真空チャンバ内圧力
：ガス導入時圧力13Pa（0.1Torr）
：導入後圧力 130Pa（1.0Torr）
温度：930℃
真空チャンバ容積：0.5m3
Fig. 5 Carburizing homogeneity of a narrow hole
inside by using acetylene
3.2 ガスの分解挙動
Fig.7，Fig.8，Fig.9は加熱温度930℃におけるチャ
ンバ内に鋼を入れない場合のC 3 H8 ガス，C 2 H4 ガス，
C 2 H2 ガスの熱分解挙動を示したものである．C 3 H8 ガ
スにおいては，時間の経過に伴いC 3 H8 が減少し，H 2
の増加，C 2 H4 ，CHｎ（微量で分離できなかったため，
n として表記：n = 1 ～4）の生成が認められる2 ．
C2 H4 ガスにおいては，C2 H4 の減少に伴い，C3 H8
と同様，H 2 の増加，CHn の生成が認められる．C2 H4
の分解速度はC3 H8 に比較して速い．C 2 H2 ガスにおい
ては，C3 H8 ，C2 H4 ガスと異なる挙動を示す．C2 H2 の
急激な分解に伴い，H 2 ，C2 H4 の増加およびCHn の生
成が認められる．すなわちC3 H8 ガスでは，C3 H8 →
C2 H4 → CHn と高級炭化水素から低級炭化水素へと分
解が進むと考えられる．同様にC2 H4 ガスでもC2 H4 →
CHn へと移行する．C2 H2 ガスにおいては，C2 H2 →
C2 H4 ，C2 H2 → CHn，またはC2 H2 → C2 H4 → CHn に移
行するものと思われる．
Fig.10，Fig.11，Fig.12はチャンバ内に鋼を入れた
場合のC3 H8 ガス，C2 H4 ガス，C2 H2 ガスの浸炭時の
分解挙動を示す．C3 H8 ガス，C2 H4 ガスの挙動は，熱
分解挙動と類似しているが，分解速度の増加と，CHn
の発生が減少していることが異なる．このことはそれ
ぞれ鋼の触媒作用およびCHn が浸炭により消費されて
いるためと考えられる．C2 H2 ガスの場合は熱分解挙
動と大きく異なり，急激なC2 H2 の減少，H 2 の増加が
認められ，C2 H4 ，CHn 成分は検出されない．
これらの結果より，C3 H8 ガス，C2 H4 ガスにおける
浸炭は，CHn 成分が主体であり，C2 H2 ガスにおいて
は，鋼表面への吸着によるC 2 H2 ガス直接の反応，す
なわちC2 H2 → 2 C[Fe]+H 2 の反応に従うものと推測さ
れる．さらにC2 H2 は三重結合を持つ不飽和炭化水素
で化学反応性に富み，金属あるいは金属化合物との反
応により，金属の誘導体である金属アセチリドを生じ
る．従って，鋼との反応によりセメンタイト（Fe 3 C）
等の化合物が生成しやすいことも考えられる．
Fig. 6 Quadrupole mass spectrometer
デンソーテクニカルレビュー Vol.５ No.１ 2000
Fig. 7 Thermal resolution behavior of propane
Fig. 8 Thermal resolution behavior of ethylene
Fig. 9 Thermal resolution behavior of acetylene
Fig. 10 Carburizing resolution behavior of propane
Fig. 11 Carburizing resolution behavior of ethylene
Fig. 12 Carburizing resolution behavior of acetylene
論文
Fig.13 はC 2 H2 ガスを用い，930℃×30分の浸炭後
拡散をしないで放冷処理を行った場合のセメンタイト
析出状態を示したものである．またFig.14はC 3 H8 ガ
スを用い930℃×30分の浸炭後拡散をしないで放冷処
理を行った組織である．
C 3 H8 ガスでは粒界に沿ってセメンタイトの析出が
観測されるが，C 2 H2 では表面に多量のセメンタイト
が形成されている．930℃×60秒の処理によっても最
表面にセメンタイトが観察された報告もなされている5）．
以上のことから真空浸炭の浸炭ガスとしてC 2 H2 ガス
の効果は吸着による細穴内面の浸炭性への寄与，鋼と
の直接反応による高濃度浸炭あるいは炭化物の生成と
思われるが，これらについては，今後さらに詳細な検
討を要す．
4 . おわりに
C 2 H2 ガスを用いた真空浸炭法においての高濃度浸
炭，細穴内面の浸炭性および浸炭ガスの分解挙動につ
き報告したが，これまでの真空浸炭のイメージ，すな
わち多量の煤発生については，大きな成果が得られた．
さらに極低圧下において均一な浸炭が可能であること
もこれまでの飽和炭化水素系ガスでは得られなかった
結果である．
浸炭メカニズムについては，さらに詳細な研究を必
要とするが，C 2 H2 ガスの鋼に対しての吸着現象が大
きな意味を持っていると考えられる．しかしながら
C 2 H2 ガス使用については課題が無いわけではない．
それは鋼との直接反応が原因と思われるセメンタイト
生成のしやすさである．この点に関しては，浸炭・拡
散の比などの検討を加え最適化を図る必要がある．ま
たC 2 H2 ガスは従来から使用されている飽和炭化水素
系ガスと特性が異なるので，取扱いに対しては異なっ
た注意が必要である．
謝 辞
本研究の遂行にあたり，実験装置等の便宜を図って
頂いた（株）日本ヘイズ殿に感謝の意を表します．
Fig. 13 Carburized structure using acetylene
Fig. 14 Carburized structure using propane
デンソーテクニカルレビュー Vol.５ No.１ 2000
＜著 者＞
＜参考文献＞
1） H.W.Western：Metal Prog., 102,Oct., 101（1972）.
2） F.H.Harris：Metal Prog., 44, 265（1943）; 45,683（1944）.
3） O.E.Cullen：Patent, NO.610, 554, Canadian（1974）.
4） 奥村 望：熱処理, 24, 5 , p.280（1984）.
5） 杉山道生：熱処理, 37, 3 , p.158（1997）.
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