Wednesday, February 25, 2009

電阻www.tool-tool.com

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電磁學

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一個750-kΩ的電阻,其外表上的電子顏色代碼標識出了它的電阻值。可以用萬用表來驗證它的電阻值。

電阻 是物質中阻礙電荷流動的物理量,亦即電阻值,單位為「歐姆」(Ω,Ohm)。

電阻的定義是電壓電流的結果,即

R = \frac {V} {I}

當中 R為電阻(以歐姆計算)、V 為電壓(以伏特計算)而 I為電流(以安培計算)。

目錄

[隱藏]

[編輯] 電阻率

電阻率resistivity)是指單位長度、單位截面的某種物質的電阻,常用單位為「歐姆·厘米」,其倒數為電導率

電阻率較低的物質被稱為導體,常見導體主要為金屬,而自然界中導電性最佳的是。其他不易導電的物質如玻璃橡膠等,電阻率較高,一般稱為絕緣體。介於導體和絕緣體之間的物質 (如) 則稱半導體

電阻率的科學符號為 ρ

已知物體的電阻,可由電阻率ρ、長度 l截面面積 A 計算:

R = \rho \frac{l}{A}

在上式中,

  • 電阻 R 單位為歐姆
  • 長度 l 單位為
  • 截面面積 A 單位為平方米
  • 電阻率 ρ 單位為歐姆·米

物質
電阻率 (Ωm)
電阻溫度係數(導體溫度為20°C)

(電阻率及溫度係數皆和導體當時的溫度有關) (溫度和溫度係數的關係可參考 http://www.nihs.tp.edu.tw/~nihsw9/ele/2/5.htm)


1.59×10−8
.0038


1.7×10−8
.0039


2.44×10−8
.0034


2.82×10−8
.0039


5.6×10−8
.0045

黃銅
8×10−8
.0015


1.0×10−7
.005


1.1×10−7
.00392


2.2×10−7
.0039

錳加寧
4.82×10−7
.000002

康銅
4.9×10−7


9.8×10−7
.0009

鎳鉻合金
1.50×10−6
.0004


3.5×10−5
-.0005


4.6×10−1
-.048


6.40×102
-.075

玻璃
1010 至 1014

[編輯] 電阻的產生

當電壓為1V,且電流為1A 時,電阻為1歐姆

[編輯] 金屬

金屬由一群依一定規則排列原子構成,每顆原子均有一層(或多層)由電子組成的外殼。這些在外殼的電子能脫離原子核的吸引力而到處流動,是金屬能導電的主要原因。當金屬兩端產生電勢差(即電壓)時,電子因電場的影晌而作規則的流動,是為電流。在現實中,物質的原子排列不可能為完全規則,因此電子在流動途中會被不按規則排列的原子打散,是為電阻的來源。

  • 高溫加速電子運動,增加電子被打散的機會,故熱的物體電阻較高。
  • 橫切面面積大的金屬有較多空間予電子流動,故電阻較小。
  • 電子橫過較的金屬時一般會發生較多的碰撞,故長的金屬電阻較大。

[編輯] 半導體與絕緣體

[編輯] 能量帶理論

根據量子力學,電子的能量不會維持在某個定值,但會停留在某個等級 (電子的能量值不能在不屬於任何等級的範圍內)。這些能量值等級至少可分為兩組,一組稱為傳導帶,另一組稱價能帶。傳導帶的能量等級通常要高一些,而能量值在傳導帶的電子能在電場中自由流動。

在絕緣體和半導體中,原子之間相互影晌,使傳導帶價能帶之間出現了一個禁制帶,即電子無法擁有的能量值地帶。在這些物質中導電需要較大的能量,以協助電子自價能帶躍升至傳導帶。因此,即使對這些物質施加大的電壓,產生的電流仍較導電體為小。

[編輯] 半導體

另外,半導體的電阻性質可以調校。如微量的被加到半導體中,會產生額外的電子或「洞」 (缺少電子的地方),兩者均可以在半導體中流動。這種經過摻雜的半導體是二極體三極體等電子配件的重要原料。

[編輯] 離子液體(電解質)

電解質中,電流是由帶電的離子的流動産生,因此液體的電阻很受濃度所影晌。譬如蒸餾水是絕緣體,但鹽水就是很好的導電體。

生物體內的,離子鹽負責電流的傳送。膜中的小孔道會選擇什麼的離子可以通過。這直接決定膜的電阻值。

[編輯] 微分電阻

如電阻跟隨電壓及電流變動,則可定義微分電阻為:

R = \frac {dV} {dI}

微分電阻的單位仍為歐姆,惟微分電阻值與基本的電阻值並不一致。微分電阻值有可能因有關儀器的特性而出現負值,稱為負電阻。然而,基本電阻 (即電壓與電流的商) 永遠為正值

[編輯] 溫度對電阻的影響

溫度對不同物質的電阻值均有不同的影晌。

[編輯] 導電體

在接近室溫的溫度,良導體的電阻值, 通常與溫度正比

R = R_0 + aT \,

上式中的 a 稱為電阻的溫度係數

[編輯] 半導體

未經摻雜的半導體的電阻隨溫度而下降,兩者成幾何關係:

R= R_0 e^{a/T} \,

有摻雜的半導體變化較為複雜。當溫度從絕對零度上升,半導體的電阻先是減少,到了絕大部份的帶電粒子 (電子或電洞/電洞) 離開了它們的載體後,電阻會因帶電粒子的活動力下降而隨溫度稍為上升。當溫度升得更高,半導體會產生新的載體 (和未經摻雜的半導體一樣) ,原有的載體 (因滲雜而產生者) 重要性下降,於是電阻會再度下降。

[編輯] 絕緣體和電解質

絕緣體和電解質的電阻與溫度的關係一般不成比例,而且不同物質有不同的變化,故不在此列出概括性的算式。

[編輯] 參看

電路導抗

導抗參數
直流實數
交流虛數
組合(複數
單位

抗性
電阻(R)
電抗(X)
阻抗(Z)
歐姆(Ω)

導性
電導(G)
電納(B)
導納(Y)
西門子(S)
姆歐(℧)

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